Справочник MOSFET. BLV7N60

 

BLV7N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLV7N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 184 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BLV7N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLV7N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  belling
 blv7n60.pdf pdf_icon

BLV7N60

BLV7N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 600V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 1.0 Simple Drive Requirements ID 7ADescription This advanced high voltage MOSFET is produced using Bellings proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unless

Другие MOSFET... BLV1N60 , BLV1N60A , BLV2N60 , BLV4N60 , BLV640 , BLV6N60 , BLV730 , BLV740 , RU6888R , BLV830 , BLV840 , BLVP304 , BS107 , BS107AG , BS107ARL1 , BS107ARL1G , BS107KL .

History: JFAM25N50E | VS3P07C

 

 
Back to Top

 


 
.