BLV7N60 - описание и поиск аналогов

 

BLV7N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV7N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 184 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BLV7N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLV7N60 даташит

 ..1. Size:466K  belling
 blv7n60.pdf pdf_icon

BLV7N60

BLV7N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 600V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 1.0 Simple Drive Requirements ID 7A Description This advanced high voltage MOSFET is produced using Belling s proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unless

Другие MOSFET... BLV1N60 , BLV1N60A , BLV2N60 , BLV4N60 , BLV640 , BLV6N60 , BLV730 , BLV740 , AO3400A , BLV830 , BLV840 , BLVP304 , BS107 , BS107AG , BS107ARL1 , BS107ARL1G , BS107KL .

History: 2SK3521L | FHU5N65C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.