BLV830 - описание и поиск аналогов

 

BLV830. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV830

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BLV830

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLV830 даташит

 ..1. Size:462K  belling
 blv830.pdf pdf_icon

BLV830

BLV830 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 500V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 1.5 Simple Drive Requirements ID 4.5A Description This advanced high voltage MOSFET is produced using Belling s proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unles

Другие MOSFET... BLV1N60A , BLV2N60 , BLV4N60 , BLV640 , BLV6N60 , BLV730 , BLV740 , BLV7N60 , IRFB31N20D , BLV840 , BLVP304 , BS107 , BS107AG , BS107ARL1 , BS107ARL1G , BS107KL , BS107PSTOA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.