BLV830. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BLV830
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для BLV830
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BLV830 даташит
blv830.pdf
BLV830 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 500V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 1.5 Simple Drive Requirements ID 4.5A Description This advanced high voltage MOSFET is produced using Belling s proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unles
Другие MOSFET... BLV1N60A , BLV2N60 , BLV4N60 , BLV640 , BLV6N60 , BLV730 , BLV740 , BLV7N60 , IRFB31N20D , BLV840 , BLVP304 , BS107 , BS107AG , BS107ARL1 , BS107ARL1G , BS107KL , BS107PSTOA .
History: 16N60B | SMK1265FD | ME2602 | SI2345DS | AO3459 | SMK1350F | AGM612MBP
History: 16N60B | SMK1265FD | ME2602 | SI2345DS | AO3459 | SMK1350F | AGM612MBP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302

