BLV840 - описание и поиск аналогов

 

BLV840. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV840

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BLV840

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLV840 даташит

 ..1. Size:470K  belling
 blv840.pdf pdf_icon

BLV840

BLV840 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 500V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 0.85 Simple Drive Requirements ID 8.0A Description This advanced high voltage MOSFET is produced using Belling s proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unle

Другие MOSFET... BLV2N60 , BLV4N60 , BLV640 , BLV6N60 , BLV730 , BLV740 , BLV7N60 , BLV830 , STP65NF06 , BLVP304 , BS107 , BS107AG , BS107ARL1 , BS107ARL1G , BS107KL , BS107PSTOA , BS107PSTOB .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.