Справочник MOSFET. BSB165N15NZ3G

 

BSB165N15NZ3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSB165N15NZ3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: MG-WDSON-2
 

 Аналог (замена) для BSB165N15NZ3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB165N15NZ3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1649K  infineon
 bsb165n15nz3g.pdf pdf_icon

BSB165N15NZ3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB165N15NZ3G Data Sheet2.2, 2011-07-20Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB165N15NZ3 G1 DescriptionOptiMOS150V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages mak

Другие MOSFET... BSB008NE2LX , BSB012N03LX3 , BSB012NE2LXI , BSB013NE2LXI , BSB017N03LX3 , BSB044N08NN3G , BSB056N10NN3G , BSB104N08NP3G , STP75NF75 , BSB280N15NZ3G , BSC009NE2LS , BSC009NE2LS5 , BSC009NE2LS5I , BSC010N04LS , BSC010N04LSI , BSC010NE2LSI , BSC011N03LSI .

History: CHM634PAGP | NVMFS5A140PLZ | ZXMN6A07F

 

 
Back to Top

 


 
.