BSB165N15NZ3G - описание и поиск аналогов

 

BSB165N15NZ3G - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSB165N15NZ3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: MG-WDSON-2
 

 Аналог (замена) для BSB165N15NZ3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB165N15NZ3G технические параметры

 ..1. Size:1649K  infineon
 bsb165n15nz3g.pdf pdf_icon

BSB165N15NZ3G

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSB165N15NZ3 G Data Sheet 2.2, 2011-07-20 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSB165N15NZ3 G 1 Description OptiMOS 150V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages mak

Другие MOSFET... BSB008NE2LX , BSB012N03LX3 , BSB012NE2LXI , BSB013NE2LXI , BSB017N03LX3 , BSB044N08NN3G , BSB056N10NN3G , BSB104N08NP3G , 7N65 , BSB280N15NZ3G , BSC009NE2LS , BSC009NE2LS5 , BSC009NE2LS5I , BSC010N04LS , BSC010N04LSI , BSC010NE2LSI , BSC011N03LSI .

History: 2N60A

 

 
Back to Top

 


 
.