BSB165N15NZ3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSB165N15NZ3G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm

Тип корпуса: MG-WDSON-2

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BSB165N15NZ3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB165N15NZ3G даташит

 ..1. Size:1649K  infineon
 bsb165n15nz3g.pdf pdf_icon

BSB165N15NZ3G

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSB165N15NZ3 G Data Sheet 2.2, 2011-07-20 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSB165N15NZ3 G 1 Description OptiMOS 150V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages mak

Другие IGBT... BSB008NE2LX, BSB012N03LX3, BSB012NE2LXI, BSB013NE2LXI, BSB017N03LX3, BSB044N08NN3G, BSB056N10NN3G, BSB104N08NP3G, 7N65, BSB280N15NZ3G, BSC009NE2LS, BSC009NE2LS5, BSC009NE2LS5I, BSC010N04LS, BSC010N04LSI, BSC010NE2LSI, BSC011N03LSI