Справочник MOSFET. SFW9644

 

SFW9644 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFW9644
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 123 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFW9644 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  fairchild semi
sfi9644 sfw9644.pdfpdf_icon

SFW9644

SFW/I9644Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -8.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -250V2 Low RDS(ON) : 0.549 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximu

 8.1. Size:259K  fairchild semi
sfw9640tm.pdfpdf_icon

SFW9644

SFW/I9640Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -11 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -200V2 Low RDS(ON) : 0.344 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum

 8.2. Size:264K  fairchild semi
sfi9640 sfw9640.pdfpdf_icon

SFW9644

SFW/I9640Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -11 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -200V2 Low RDS(ON) : 0.344 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum

 8.3. Size:506K  samsung
sfw9640.pdfpdf_icon

SFW9644

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -11 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -200V2 Low RDS(ON) : 0.344 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

Другие MOSFET... SFW9540 , SFW9610 , SFW9614 , SFW9620 , SFW9624 , SFW9630 , SFW9634 , SFW9640 , IRF4905 , SFW9Z14 , SFW9Z24 , SFW9Z34 , SI3443DVPBF , SI3812DV , SI3851DV , SI3853DV , SI4410DY .

History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.