Справочник MOSFET. BSC010N04LSI

 

BSC010N04LSI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC010N04LSI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00105 Ohm
   Тип корпуса: PG-TDSON-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC010N04LSI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:598K  infineon
bsc010n04lsi.pdfpdf_icon

BSC010N04LSI

BSC010N04LSIOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for synchronous rectificationRDS(on),max 1.05 mW Integrated monolithic Schottky-like diodeA ID 100 Very low on-resistance RDS(on)QOSS 83 nC 100% avalanche tested87 nC QG(0V..10V) N-channel, channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSO

 3.1. Size:573K  infineon
bsc010n04ls.pdfpdf_icon

BSC010N04LSI

BSC010N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for sychronous rectificationRDS(on),max 1.0 mW Very low on-resistance RDS(on)ID 100 A 100% avalanche testedQoss 84 nC Superior thermal resistanceQg(0V..10V) 95 nC N-channel, logic levelPG-TDSON-8 FL Qualified according to JEDEC1) for target applications (enlarg

 3.2. Size:1279K  infineon
bsc010n04lst.pdfpdf_icon

BSC010N04LSI

BSC010N04LSTMOSFETTDSON-8 FL (enlarged source interconnection)OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V876Features5 Optimized for sychronous rectification 175 C rated1 52 6 Very low on-resistance RDS(on) 734 8 100% avalanche tested Superior thermal resistance4 N-channel, logic level3 Qualified according to JEDEC1) for target applications 2

 3.3. Size:1476K  infineon
bsc010n04ls6.pdfpdf_icon

BSC010N04LSI

BSC010N04LS6MOSFETTDSON-8 FL (enlarged source interconnection)OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V876Features5 Optimized for synchronous application Very low on-resistance RDS(on)1 52 6 100% avalanche tested734 8 Superior thermal resistance N-channel4 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: RCJ100N25 | SQ7415EN | IPZA60R120P7 | 2SJ176 | ISCNH340B | CHM3413KGP | SQ3418EEV

 

 
Back to Top

 


 
.