BSC014N03MS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSC014N03MS
Маркировка: 014N03MS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 63 nC
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 2600 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0014 Ohm
Тип корпуса: PG-TDSON-8
Аналог (замена) для BSC014N03MS
BSC014N03MS Datasheet (PDF)
bsc014n03ms.pdf
BSC014N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)R V =10 V 1.4mDS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPSV =4.5 V 1.75GS 100% avalanche testedI 100 AD N-channelPG-TDSON-8 Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R prod
bsc014n03msg.pdf
% ! % D %0 G D ON S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0D n) G S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( D n)1)S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@ES .GB
bsc014n03ls .pdf
& " & E $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=yFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- 1 4 m D n) m xQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 1 D1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C G D ON Q ( 492??6=Q &@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q -EA6B:@B D96B>2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2
bsc014n03ls.pdf
BSC014N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 1.4mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel Logic level; Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)
bsc014n03lsg.pdf
BSC014N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 1.4mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel Logic level; Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
