BSC014N06NS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSC014N06NS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00145 Ohm
Тип корпуса: PG-TDSON-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
BSC014N06NS Datasheet (PDF)
bsc014n06ns.pdf

TypeBSC014N06NSOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 1.45 mW Superior thermal resistanceID 100 A N-channelQOSS nC 100 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC 89 Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-
bsc014n06nssc.pdf

BSC014N06NSSCMOSFETPG-WSON-8-2OptiMOSTM Power-Transistor, 60 VFeatures Double side cooled package-with lowest Junction-top thermal resistancetab 175C rated Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.56 100% avalanche tested78 Superior thermal resistance43 N-channel21 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free ac
bsc014n04ls.pdf

BSC014N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for synchronous rectificationRDS(on),max 1.4 mW Very low on-state resistance RDS(on)ID 100 A 100% avalanche testedQoss 54 nC Superior thermal resistanceQg(0V..10V) 61 nC N-channel, logic levelPG-TDSON-8 FL Qualified according to JEDEC1) for target applications(
bsc014n04lsi.pdf

BSC014N04LSIOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for synchronous rectificationRDS(on),max 1.45 mW Integrated monolithic Schottky-like diodeA ID 100 Very low on-resistance RDS(on)QOSS 53 nC 100% avalanche tested55 nC QG(0V..10V) N-channel, logic levelPG-TDSON-8 FL Qualified according to JEDEC1) for target a
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: STE15N100 | FS30KMJ-06F | IAUC100N10S5N040 | STU601S | VN0104N9 | MPSP60M370 | AP14SL50H
History: STE15N100 | FS30KMJ-06F | IAUC100N10S5N040 | STU601S | VN0104N9 | MPSP60M370 | AP14SL50H



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31