BSC019N02KS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSC019N02KS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 187 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00195 Ohm

Тип корпуса: PG-TDSON-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BSC019N02KS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC019N02KS даташит

 ..1. Size:663K  infineon
 bsc019n02ks.pdf pdf_icon

BSC019N02KS

% ! % D # A0

 0.1. Size:666K  infineon
 bsc019n02ksg.pdf pdf_icon

BSC019N02KS

% ! % D # A0

 6.1. Size:526K  infineon
 bsc019n04ls.pdf pdf_icon

BSC019N02KS

BSC019N04LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. RDS(on),max 1.9 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 100 A 100% avalanche tested QOSS 37 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 41 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-

 6.2. Size:377K  infineon
 bsc019n04nsg.pdf pdf_icon

BSC019N02KS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BSC014N04LS, BSC014N04LSI, BSC014N06NS, BSC014NE2LSI, BSC016N03LS, BSC016N03MS, BSC016N06NS, BSC018NE2LSI, AON7410, BSC019N04LS, BSC020N03LS, BSC020N03MS, BSC022N04LS, BSC025N03LS, BSC025N03MS, BSC026N02KS, BSC026N04LS