Справочник MOSFET. BSC019N02KS

 

BSC019N02KS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC019N02KS
   Маркировка: 019N02KS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 64 nC
   trⓘ - Время нарастания: 187 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00195 Ohm
   Тип корпуса: PG-TDSON-8

 Аналог (замена) для BSC019N02KS

 

 

BSC019N02KS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:663K  infineon
 bsc019n02ks.pdf

BSC019N02KS BSC019N02KS

% ! % D #:A0

 0.1. Size:666K  infineon
 bsc019n02ksg.pdf

BSC019N02KS BSC019N02KS

% ! % D #:A0

 6.1. Size:526K  infineon
 bsc019n04ls.pdf

BSC019N02KS BSC019N02KS

BSC019N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 1.9 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 37 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 41 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-

 6.2. Size:377K  infineon
 bsc019n04nsg.pdf

BSC019N02KS BSC019N02KS

BSC019N04NS GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 1.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

 6.3. Size:3484K  cn vbsemi
 bsc019n04ns.pdf

BSC019N02KS BSC019N02KS

BSC019N04NSwww.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0025 at VGS = 10 V 120 TrenchFET Power MOSFET40 38 nC0.0028 at VGS = 6.5 V 105 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Synchronous Rectification Secondary Side DC/DCD

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top