BSC026N02KS - описание и поиск аналогов

 

BSC026N02KS - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSC026N02KS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: PG-TDSON-8
 

 Аналог (замена) для BSC026N02KS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC026N02KS технические параметры

 ..1. Size:659K  infineon
bsc026n02ks.pdfpdf_icon

BSC026N02KS

% ! % D # A0

 0.1. Size:662K  infineon
bsc026n02ksg.pdfpdf_icon

BSC026N02KS

% ! % D # A0

 6.1. Size:1182K  infineon
bsc026n08ns5.pdfpdf_icon

BSC026N02KS

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V BSC026N08NS5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V BSC026N08NS5 SuperSO8 1 Description 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for Synchronous Rectification in server and desktop 100% avalanche tested Superior t

 6.2. Size:586K  infineon
bsc026n04ls.pdfpdf_icon

BSC026N02KS

BSC026N04LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. RDS(on),max 2.6 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 100 A 100% avalanche tested QOSS 28 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 32 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-

Другие MOSFET... BSC018NE2LSI , BSC019N02KS , BSC019N04LS , BSC020N03LS , BSC020N03MS , BSC022N04LS , BSC025N03LS , BSC025N03MS , CS150N03A8 , BSC026N04LS , BSC026N08NS5 , BSC026NE2LS5 , BSC028N06NS , BSC030N03LS , BSC030N03MS , BSC030N08NS5 , BSC032N04LS .

 

 
Back to Top

 


 
.