BSC026N02KS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSC026N02KS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm

Тип корпуса: PG-TDSON-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BSC026N02KS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC026N02KS даташит

 ..1. Size:659K  infineon
 bsc026n02ks.pdf pdf_icon

BSC026N02KS

% ! % D # A0

 0.1. Size:662K  infineon
 bsc026n02ksg.pdf pdf_icon

BSC026N02KS

% ! % D # A0

 6.1. Size:1182K  infineon
 bsc026n08ns5.pdf pdf_icon

BSC026N02KS

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V BSC026N08NS5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V BSC026N08NS5 SuperSO8 1 Description 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for Synchronous Rectification in server and desktop 100% avalanche tested Superior t

 6.2. Size:586K  infineon
 bsc026n04ls.pdf pdf_icon

BSC026N02KS

BSC026N04LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. RDS(on),max 2.6 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 100 A 100% avalanche tested QOSS 28 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 32 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BSC018NE2LSI, BSC019N02KS, BSC019N04LS, BSC020N03LS, BSC020N03MS, BSC022N04LS, BSC025N03LS, BSC025N03MS, CS150N03A8, BSC026N04LS, BSC026N08NS5, BSC026NE2LS5, BSC028N06NS, BSC030N03LS, BSC030N03MS, BSC030N08NS5, BSC032N04LS