BSC026N02KS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BSC026N02KS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: PG-TDSON-8
Аналог (замена) для BSC026N02KS
BSC026N02KS Datasheet (PDF)
bsc026n08ns5.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC026N08NS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC026N08NS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for Synchronous Rectification in server and desktop 100% avalanche tested Superior t
bsc026n04ls.pdf

BSC026N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 2.6 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 28 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 32 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-
Другие MOSFET... BSC018NE2LSI , BSC019N02KS , BSC019N04LS , BSC020N03LS , BSC020N03MS , BSC022N04LS , BSC025N03LS , BSC025N03MS , 5N65 , BSC026N04LS , BSC026N08NS5 , BSC026NE2LS5 , BSC028N06NS , BSC030N03LS , BSC030N03MS , BSC030N08NS5 , BSC032N04LS .
History: IRF523FI | MTE050N15BRV8 | WMO80R720S
History: IRF523FI | MTE050N15BRV8 | WMO80R720S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet