Справочник MOSFET. BSC026N08NS5

 

BSC026N08NS5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC026N08NS5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: PG-TDSON-8

 Аналог (замена) для BSC026N08NS5

 

 

BSC026N08NS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1182K  infineon
 bsc026n08ns5.pdf

BSC026N08NS5 BSC026N08NS5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC026N08NS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC026N08NS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for Synchronous Rectification in server and desktop 100% avalanche tested Superior t

 6.1. Size:662K  infineon
 bsc026n02ksg.pdf

BSC026N08NS5 BSC026N08NS5

% ! % D #:A0

 6.2. Size:586K  infineon
 bsc026n04ls.pdf

BSC026N08NS5 BSC026N08NS5

BSC026N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 2.6 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 28 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 32 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-

 6.3. Size:659K  infineon
 bsc026n02ks.pdf

BSC026N08NS5 BSC026N08NS5

% ! % D #:A0

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top