BSC034N03LS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSC034N03LS
Маркировка: 034N03LS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 22 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18.8 nC
Время нарастания (tr): 4.8 ns
Выходная емкость (Cd): 1000 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0034 Ohm
Тип корпуса: PG-TDSON-8
Аналог (замена) для BSC034N03LS
BSC034N03LS Datasheet (PDF)
bsc034n03ls.pdf
BSC034N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 3.4 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 100 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Sup
bsc034n03ls .pdf
& " & E $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=D 1-?@=1> D Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- 4m D n) m xQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 1 D1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C G D ON Q ( 492??6= &@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q -EA6B:@B D96B>2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?
bsc034n03lsg.pdf
BSC034N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 3.4 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 100 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Sup
bsc034n06ns.pdf
TypeBSC034N06NSOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 3.4 mW Superior thermal resistanceID 100 A N-channelQOSS nC 37 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) 33 nC Pb-free lead plating; RoHS compliant Hal
bsc034n10ls5.pdf
BSC034N10LS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. Rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Halogen-free according to IEC61249-2-213 14Product validationFully qualified acco
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
