BSC034N03LS. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BSC034N03LS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
Тип корпуса: PG-TDSON-8
Аналог (замена) для BSC034N03LS
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BSC034N03LS даташит
bsc034n03ls.pdf
BSC034N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPS RDS(on),max 3.4 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 100 A Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Sup
bsc034n03ls .pdf
& " & E $;B1= !#& ' $=;0@/? &@99-=D 1-?@=1> D Q 2CD CG D49 ?8 ') - . 7@B -'*- 4 m D n) m x Q ) AD > J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 1 D 1) Q + E2= 7 65 244@B5 ?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C G D ON Q ( 492??6= &@8 4 =6F6= Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n) Q /6BI =@G @? B6C CD2?46 D n) Q -EA6B @B D96B>2= B6C CD2?46 Q F2=2?496 B2D65 Q *3 7B66 A=2D ?
bsc034n03lsg.pdf
BSC034N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPS RDS(on),max 3.4 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 100 A Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Sup
bsc034n06ns.pdf
Type BSC034N06NS OptiMOSTM Power-Transistor Features Product Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. VDS 60 V 100% avalanche tested RDS(on),max 3.4 mW Superior thermal resistance ID 100 A N-channel QOSS nC 37 Qualified according to JEDEC1) for target applications QG(0V..10V) 33 nC Pb-free lead plating; RoHS compliant Hal
Другие MOSFET... BSC026N08NS5 , BSC026NE2LS5 , BSC028N06NS , BSC030N03LS , BSC030N03MS , BSC030N08NS5 , BSC032N04LS , BSC032NE2LS , IRF1407 , BSC034N06NS , BSC035N10NS5 , BSC036NE7NS3G , BSC037N08NS5 , BSC039N06NS , BSC040N08NS5 , BSC040N10NS5 , BSC042N03LS .
History: BSC050N04LSG | RUH1H150T | KDW2503N | SWB16N65K | HYG055N08NS1P | BSC067N06LS3G
History: BSC050N04LSG | RUH1H150T | KDW2503N | SWB16N65K | HYG055N08NS1P | BSC067N06LS3G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793





