SI3443DVPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI3443DVPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для SI3443DVPBF
SI3443DVPBF Datasheet (PDF)
si3443dvpbf.pdf
PD-95240Si3443DVPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistance A1 6D Dl P-Channel MOSFETVDSS = -20Vl Surface Mount25DDl Available in Tape & Reell -2.5V Rated34G SRDS(on) = 0.065l Lead-FreeTop ViewDescriptionThese P-channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve theextremely low on-resistance per
si3443dv.pdf
PD- 93795ASi3443DVHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceA1 6D D P-Channel MOSFETVDSS = -20V Surface Mount25DD Available in Tape & Reel -2.5V Rated3 4G SRDS(on) = 0.065Top ViewDescriptionThese P-channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve theextremely low on-resistance per silicon area. This
si3443dv.pdf
April 2001Si3443DVP-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETGeneral DescriptionFeatures DS(ON) GS DS(ON) GS
si3443dv.pdf
Si3443DVVishay SiliconixP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) rDS(on) (W) ID (A) D TrenchFETr Power MOSFETD 100% Rg Tested0.065 @ VGS = -4.5 V -4.50.090 @ VGS = -2.7 V -3.8-200.100 @ VGS = -2.5 V -3.7TSOP-6(4) STop View1 6(3) G3 mm523 42.85 mm(1, 2, 5, 6) DOrdering Information: Si3443DV-T1E3 (Lead Free)P-Channel MOSFETABSOL
si3443dvtr.pdf
PD- 93795BSi3443DVHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 6D Dl P-Channel MOSFETVDSS = -20Vl Surface Mount25DDl Available in Tape & Reell -2.5V Rated34G SRDS(on) = 0.065Top ViewDescriptionThese P-channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve theextremely low on-resistance per silicon area
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918