Справочник MOSFET. BSC0925ND

 

BSC0925ND MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC0925ND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: PG-TISON-8

 Аналог (замена) для BSC0925ND

 

 

BSC0925ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:586K  infineon
 bsc0925nd.pdf

BSC0925ND BSC0925ND

BSC0925NDOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Dual N-channel OptiMOS MOSFETRDS(on),max 5 mW Optimized for clean switchingID 40 A 100% avalanche testedQOSS 8.6 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 13 nC Optimized for high performance Buck converter Qualified according to JEDEC1) for target applicationsVPhase

 8.1. Size:690K  infineon
 bsc0923ndi.pdf

BSC0925ND BSC0925ND

BSC0923NDI Dual N-Channel OptiMOS MOSFETProduct Summary FeaturesQ1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFETVDS 30 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max VGS=10 V 5 2.8 mW Logic level (4.5V rated)VGS=4.5 V 7 3.7 100% avalanche testedID 40 40 A Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; R

 8.2. Size:693K  infineon
 bsc0921ndi.pdf

BSC0925ND BSC0925ND

BSC0921NDIDual N-Channel OptiMOS MOSFETProduct Summary FeaturesQ1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFETVDS 30 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max VGS=10 V 5 1.6 mW Logic level (4.5V rated)VGS=4.5 V 7 2.1 N-channelID 40 40 A Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant

 8.3. Size:685K  infineon
 bsc0924ndi.pdf

BSC0925ND BSC0925ND

BSC0924NDIDual N-Channel OptiMOS MOSFETProduct Summary FeaturesQ1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFETVDS 30 30 V Integrated monolithic Schottky-like diodeRDS(on),max VGS=10 V 5 3.7 mW Optimized for high performance Buck converter VGS=4.5 V 7 5.2 Logic level (4.5V rated)ID 40 40 A 100% avalanche tested Qualified according to JEDEC1) for tar

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top