Справочник MOSFET. BSC120N03LS

 

BSC120N03LS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC120N03LS
   Маркировка: 120N03LS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5.4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PG-TDSON-8
 

 Аналог (замена) для BSC120N03LS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC120N03LS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:686K  infineon
 bsc120n03ls .pdf pdf_icon

BSC120N03LS

& " & E $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=DFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- 1 m D n) m xQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BCD1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C G D ON Q ( 492??6= &@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q -EA6B:@B D96B>2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @

 ..2. Size:481K  infineon
 bsc120n03ls.pdf pdf_icon

BSC120N03LS

BSC120N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 12 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 39 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superi

 0.1. Size:520K  infineon
 bsc120n03lsg.pdf pdf_icon

BSC120N03LS

BSC120N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 12 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 39 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superi

 5.1. Size:524K  infineon
 bsc120n03msg.pdf pdf_icon

BSC120N03LS

BSC120N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFET Product Summary VDS 30 V FeaturesRDS(on),max VGS=10 V 12 mW Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)VGS=4.5 V 14 Low FOMSW for High Frequency SMPSID 39 A 100% Avalanche testedPG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.