BSC252N10NSF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSC252N10NSF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0252 Ohm
Тип корпуса: PG-TDSON-8
Аналог (замена) для BSC252N10NSF
BSC252N10NSF Datasheet (PDF)
bsc252n10nsf.pdf
% ! !% D #:A0A6C2EFC6R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C
bsc252n10nsf8 bsc252n10nsfg.pdf
% ! !% D #:A0A6C2EFC6R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C
Другие MOSFET... BSC0925ND , BSC097N06NS , BSC098N10NS5 , BSC100N03MS , BSC117N08NS5 , BSC120N03LS , BSC120N03MS , BSC150N03LD , 20N60 , BSC500N20NS3G , BSD214SN , BSD235C , BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , BSD840N , BSF030NE2LQ .
History: IRFI530NPBF | PHP79NQ08LT | NCE6010J | WMB108N03T1 | LSD65R180GT | FQD6N40CTM | 6N70KG-TMS4-T
History: IRFI530NPBF | PHP79NQ08LT | NCE6010J | WMB108N03T1 | LSD65R180GT | FQD6N40CTM | 6N70KG-TMS4-T
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor