BSC252N10NSF - описание и поиск аналогов

 

BSC252N10NSF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC252N10NSF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0252 Ohm

Тип корпуса: PG-TDSON-8

Аналог (замена) для BSC252N10NSF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC252N10NSF даташит

 ..1. Size:653K  infineon
bsc252n10nsf.pdfpdf_icon

BSC252N10NSF

% ! !% D # A0A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E ?8 , @"- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ $ 7@C

 0.1. Size:655K  infineon
bsc252n10nsf8 bsc252n10nsfg.pdfpdf_icon

BSC252N10NSF

% ! !% D # A0A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E ?8 , @"- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ $ 7@C

Другие MOSFET... BSC0925ND , BSC097N06NS , BSC098N10NS5 , BSC100N03MS , BSC117N08NS5 , BSC120N03LS , BSC120N03MS , BSC150N03LD , 20N60 , BSC500N20NS3G , BSD214SN , BSD235C , BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , BSD840N , BSF030NE2LQ .

History: ELM53402CA | ATM3400ANSA | MEM610

 

 

 

 

↑ Back to Top
.