Справочник MOSFET. BSD816SN

 

BSD816SN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSD816SN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для BSD816SN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSD816SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  infineon
 bsd816sn.pdf pdf_icon

BSD816SN

BSD816SNOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS N-channelR V =2.5 V 160mDS(on),max GS Enhancement modeV =1.8 V 240GS Ultra Logic level (1.8V rated)I 1.4 AD Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT363 100% lead-free; RoHS compliant654 Halogen-free according to IEC61249-2-21123Type

Другие MOSFET... BSC120N03MS , BSC150N03LD , BSC252N10NSF , BSC500N20NS3G , BSD214SN , BSD235C , BSD235N , BSD316SN , IRFP460 , BSD840N , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI .

History: NVMFD5C466NL | APT50M50L2LLG | JCS7HN60F

 

 
Back to Top

 


 
.