BSD816SN - описание и поиск аналогов

 

BSD816SN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSD816SN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для BSD816SN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSD816SN даташит

 ..1. Size:177K  infineon
 bsd816sn.pdf pdf_icon

BSD816SN

BSD816SN OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor Product Summary Features V 20 V DS N-channel R V =2.5 V 160 m DS(on),max GS Enhancement mode V =1.8 V 240 GS Ultra Logic level (1.8V rated) I 1.4 A D Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SOT363 100% lead-free; RoHS compliant 6 5 4 Halogen-free according to IEC61249-2-21 1 2 3 Type

Другие MOSFET... BSC120N03MS , BSC150N03LD , BSC252N10NSF , BSC500N20NS3G , BSD214SN , BSD235C , BSD235N , BSD316SN , IRF640 , BSD840N , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI .

History: JMSL1040AU | KF60N06P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.