BSF035NE2LQ - описание и поиск аналогов

 

BSF035NE2LQ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSF035NE2LQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: MG-WDSON-2

Аналог (замена) для BSF035NE2LQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSF035NE2LQ даташит

 ..1. Size:864K  infineon
 bsf035ne2lq.pdf pdf_icon

BSF035NE2LQ

BSF035NE2LQ OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 25 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 3.5 mW Low parasitic inductance ID 69 A Low profile (

 9.1. Size:1522K  infineon
 bsf030ne2lq.pdf pdf_icon

BSF035NE2LQ

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSF030NE2LQ Data Sheet 2.3, 2011-09-19 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSF030NE2LQ 1 Description OptiMOS 25V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS

Другие MOSFET... BSC500N20NS3G , BSD214SN , BSD235C , BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , BSD840N , BSF030NE2LQ , IRFB4110 , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 , BSH205G2 .

History: ATM2312NSA | 2SK2792 | STP35N10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.