BSF450NE7NH3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BSF450NE7NH3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: MG-WDSON-2
Аналог (замена) для BSF450NE7NH3
BSF450NE7NH3 Datasheet (PDF)
bsf450ne7nh3.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS3 Power-MOSFET, 75 VBSF450NE7NH3 GData SheetRev. 2.2FinalPower Management & MultimarketOptiMOS3 Power-MOSFET, 75 VBSF450NE7NH3 GCanPAK S1 DescriptionFeatures Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance
bsf450ne7nh3g.pdf

BSF450NE7NH3 GMOSFETCanPAK SOptiMOS3 Power-MOSFET, 75 VFeatures Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance Dual sided cooling Low parasitic inductance Low profile (
Другие MOSFET... BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , BSD840N , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , IRF3710 , BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 , BSH205G2 , BSL202SN , BSL205N , BSL207N .
History: SFW9530TM | AP6P090J | 7N80G-TA3-T | MDHT3N40URH
History: SFW9530TM | AP6P090J | 7N80G-TA3-T | MDHT3N40URH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525