Справочник MOSFET. BSF450NE7NH3

 

BSF450NE7NH3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSF450NE7NH3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: MG-WDSON-2
 

 Аналог (замена) для BSF450NE7NH3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSF450NE7NH3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1331K  infineon
 bsf450ne7nh3.pdf pdf_icon

BSF450NE7NH3

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS3 Power-MOSFET, 75 VBSF450NE7NH3 GData SheetRev. 2.2FinalPower Management & MultimarketOptiMOS3 Power-MOSFET, 75 VBSF450NE7NH3 GCanPAK S1 DescriptionFeatures Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance

 0.1. Size:1195K  infineon
 bsf450ne7nh3g.pdf pdf_icon

BSF450NE7NH3

BSF450NE7NH3 GMOSFETCanPAK SOptiMOS3 Power-MOSFET, 75 VFeatures Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance Dual sided cooling Low parasitic inductance Low profile (

Другие MOSFET... BSD235N , BSD316SN , BSD816SN , BSD840N , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , IRF3710 , BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 , BSH205G2 , BSL202SN , BSL205N , BSL207N .

History: SI4378DY | IXFH36N55Q2 | 1481

 

 
Back to Top

 


 
.