Справочник MOSFET. BSH111BK

 

BSH111BK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSH111BK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.302 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для BSH111BK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSH111BK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  nxp
bsh111bk.pdfpdf_icon

BSH111BK

BSH111BK55 V, N-channel Trench MOSFET26 November 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disc

 8.1. Size:296K  philips
bsh111-01.pdfpdf_icon

BSH111BK

BSH111N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 07 August 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:BSH111 in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.3

 8.2. Size:281K  philips
bsh111.pdfpdf_icon

BSH111BK

BSH111N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 02 26 April 2002 Product dataM3D0881. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:BSH111 in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.3. A

 9.1. Size:290K  philips
bsh112.pdfpdf_icon

BSH111BK

BSH112N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 25 August 2000 Product specificationM3D0881. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:BSH112 in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount pa

Другие MOSFET... BSD840N , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI , IRFB4227 , BSH112 , BSH205G2 , BSL202SN , BSL205N , BSL207N , BSL214N , BSL215C , BSL302SN .

History: BSO300N03S | 2P829J

 

 
Back to Top

 


 
.