Справочник MOSFET. BSH112

 

BSH112 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSH112
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23 SOT-346
 

 Аналог (замена) для BSH112

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSH112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  philips
bsh112.pdfpdf_icon

BSH112

BSH112N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 25 August 2000 Product specificationM3D0881. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:BSH112 in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount pa

 0.1. Size:290K  philips
bsh112-01.pdfpdf_icon

BSH112

BSH112N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 25 August 2000 Product specificationM3D0881. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:BSH112 in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount pa

 9.1. Size:296K  philips
bsh111-01.pdfpdf_icon

BSH112

BSH111N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 07 August 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:BSH111 in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.3

 9.2. Size:281K  philips
bsh111.pdfpdf_icon

BSH112

BSH111N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 02 26 April 2002 Product dataM3D0881. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:BSH111 in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.3. A

Другие MOSFET... BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , IRFB4110 , BSH205G2 , BSL202SN , BSL205N , BSL207N , BSL214N , BSL215C , BSL302SN , BSL303SPE .

History: BRCS065N08SHRA | HUFA75337G3 | TPC60R150C

 

 
Back to Top

 


 
.