BSH112 - описание и поиск аналогов

 

BSH112. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSH112

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: SOT-23 SOT-346

Аналог (замена) для BSH112

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSH112 даташит

 ..1. Size:290K  philips
bsh112.pdfpdf_icon

BSH112

BSH112 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01 25 August 2000 Product specification M3D088 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability BSH112 in SOT23. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount pa

 0.1. Size:290K  philips
bsh112-01.pdfpdf_icon

BSH112

BSH112 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01 25 August 2000 Product specification M3D088 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability BSH112 in SOT23. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount pa

 9.1. Size:296K  philips
bsh111-01.pdfpdf_icon

BSH112

BSH111 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01 07 August 2000 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability BSH111 in SOT23. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package. 3

 9.2. Size:281K  philips
bsh111.pdfpdf_icon

BSH112

BSH111 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02 26 April 2002 Product data M3D088 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability BSH111 in SOT23. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package. 3. A

Другие MOSFET... BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , AON6414A , BSH205G2 , BSL202SN , BSL205N , BSL207N , BSL214N , BSL215C , BSL302SN , BSL303SPE .

History: SVS20N60SD2TR | HX2301A | JMSH0606PU | 2SK1562 | CPC5603

 

 

 

 

↑ Back to Top
.