BSL205N - описание и поиск аналогов

 

BSL205N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSL205N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT-457

Аналог (замена) для BSL205N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSL205N даташит

 ..1. Size:427K  infineon
 bsl205n.pdf pdf_icon

BSL205N

BSL205N OptiMOS ' .99 '64;.9 (>.;?6?@ %>E Features 20 V DS T H5@ ) 7

 9.1. Size:360K  infineon
 bsl207sp.pdf pdf_icon

BSL205N

Rev. 2.05 BSL207SP OptiMOS -P Small-Signal-Transistor Product Summary Feature VDS -20 V P-Channel RDS(on) 41 m Enhancement mode ID -6 A Super Logic Level (2.5 V rated) P-TSOP6-6 150 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated 4 3 5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 2 6 1 Qualified according to AEC Q101 P-TS

 9.2. Size:415K  infineon
 bsl207n.pdf pdf_icon

BSL205N

BSL207N OptiMOS ' .99 '64;.9 (>.;?6?@ %>E Features 20 V DS T H5@ ) 7

 9.3. Size:218K  infineon
 bsl202sn.pdf pdf_icon

BSL205N

BSL202SN OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor Product Summary Features V 20 V DS N-channel R V =4.5 V 22 m DS(on),max GS Enhancement mode V =2.5 V 36 GS Super Logic level (2.5V rated) I 7.5 A D Avalanche rated dv /dt rated TSOP-6 Pb-free lead plating; RoHS compliant 6 5 Qualified according to AEC Q101 4 1 2 3 Type Package Tape and Reel Inf

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND , BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 , BSH205G2 , BSL202SN , P55NF06 , BSL207N , BSL214N , BSL215C , BSL302SN , BSL303SPE , BSL305SPE , BSL306N , BSL308C .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.