SI4810DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI4810DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1(min) V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
Тип корпуса: SO8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SI4810DY Datasheet (PDF)
si4810dy.pdf

Si4810DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeMOSFET PRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.0135 @ VGS = 10 V 1030300.020 @ VGS = 4.5 V 8SCHOTTKY PRODUCT SUMMARYVSD (V)VDS (V) Diode Forward Voltage IF (A)30 0.53 V @ 3.0 A 4.0D D D DSO-8SD1 8S D Ordering Information:2 7SD3 6 Si4810DYGSi4810DY-T1 (with Tape and Reel)G D4
si4810bdy.pdf

Specification ComparisonVishay SiliconixSi4810BDY vs. Si4810DYDescription: N-Channel, 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodePackage: SOIC-8Pin Out: IdenticalPart Number Replacements:Si4810BDY Replaces Si4810DYSi4810BDY-E3 (Lead (Pb)-free version) Replaces Si4810DYSi4810BDY-T1 Replaces Si4810DY-T1Si4810BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free version) Replaces Si4810DY-T1ABSOLUTE MAXIMUM R
si4810bd.pdf

Si4810BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) rDS(on) ()ID (A)Pb-free Fast Switching Speed0.0135 at VGS = 10 V 10Available30 Low Gate Charge0.020 at VGS = 4.5 V 8RoHS* 100 % UIS and Rg TestedCOMPLIANTSCHOTTKY PRODUCT SUMMARY APPLICATIONSDiode For
si4816bdy.pdf

Si4816BDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Available0.0185 at VGS = 10 V 6.8 LITTLE FOOT Plus Power MOSFETChannel-1 7.80.0225 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested300.0115 at VGS = 10 V 11.4Channel-2 11.60.016 a
Другие MOSFET... SFW9Z24 , SFW9Z34 , SI3443DVPBF , SI3812DV , SI3851DV , SI3853DV , SI4410DY , SI4435DY , AON7506 , SI4812DY , SI4816DY , SI4818DY , SI4831DY , SI4832DY , SI4833DY , SI6820DQ , SI6821DQ .
History: SI4511DY | SI4368DY | SI4448DY
History: SI4511DY | SI4368DY | SI4448DY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement