Справочник MOSFET. SI4832DY

 

SI4832DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4832DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4832DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  vishay
si4832dy.pdfpdf_icon

SI4832DY

Si4832DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeMOSFET PRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.018 @ VGS = 10 V 930300.028 @ VGS = 4.5 V 7.3 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARYVSD (V)VDS (V) Diode Forward Voltage IF (A)30 0.53 V @ 3.0 A 4.0DSO-8SD1 8Ordering Information:S D2 7Si4832DYSD Schottky Diode3 6 Si4832DY-T1 (with Tape and Reel)

 9.1. Size:65K  vishay
si4835dy 2.pdfpdf_icon

SI4832DY

Si4835DYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.019 @ VGS = -10 V -8.0-30300.033 @ VGS = -4.5 V -6.0S S SSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top ViewD D D DOrdering Information: Si4835DYSi4835DY-T1 (with Tape and Reel)P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbo

 9.2. Size:68K  vishay
si4835bdy.pdfpdf_icon

SI4832DY

Si4835BDYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A) Qg (Typ)D Advanced High Cell Density ProcessD 100% Rg Tested0.018 @ VGS = -10 V -9.6-30-30-25-25APPLICATIONS0.030 @ VGS = -4.5 V -7.5D Load Switches- Notebook PCs- Desktop PCsSSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top Vie

 9.3. Size:265K  vishay
si4838bd.pdfpdf_icon

SI4832DY

New ProductSi4838BDYVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0027 at VGS = 4.5 V 34 100 % Rg Tested0.0032 at VGS = 2.5 V 12 31 33 nC 100 % UIS Tested0.0040 at VGS = 1.8 V 28APPLICATIONS Low VIN DC/DCSO-8DS D1 8S 2 7 DDS 3

Другие MOSFET... SI3853DV , SI4410DY , SI4435DY , SI4810DY , SI4812DY , SI4816DY , SI4818DY , SI4831DY , CS150N03A8 , SI4833DY , SI6820DQ , SI6821DQ , SI6923DQ , SML1001H9 , SML1001R1AN , SML1001R1BN , SML1001R1HN .

History: SI4848DY-T1 | SI4448DY | SI4401BDY | SI4368DY | SI4810DY | SI4477DY | SI4288DY

 

 
Back to Top

 


 
.