Справочник MOSFET. BSS138L99Z

 

BSS138L99Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSS138L99Z
   Маркировка: SS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23 SOT-346
 

 Аналог (замена) для BSS138L99Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSS138L99Z Datasheet (PDF)

 7.1. Size:127K  onsemi
bss138lt1.pdfpdf_icon

BSS138L99Z

BSS138LT1Preferred DevicePower MOSFET200 mA, 50 VN-Channel SOT-23Typical applications are DC-DC converters, power management inhttp://onsemi.comportable and battery-powered products such as computers, printers,PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.200 mA, 50 VFeaturesRDS(on) = 3.5 W Low Threshold Voltage (VGS(th): 0.5 V-1.5 V) Makes it Ideal forN-ChannelL

 7.2. Size:95K  onsemi
bss138lt3 bss138lt3g.pdfpdf_icon

BSS138L99Z

BSS138LT1Power MOSFET200 mA, 50 VN-Channel SOT-23Typical applications are DC-DC converters, power management inhttp://onsemi.comportable and battery-powered products such as computers, printers,PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.200 mA, 50 VFeaturesRDS(on) = 3.5 W Low Threshold Voltage (VGS(th): 0.5 V-1.5 V) Makes it Ideal forN-ChannelLow Voltage Applica

 7.3. Size:70K  onsemi
bss138l bvss138l.pdfpdf_icon

BSS138L99Z

BSS138L, BVSS138LPower MOSFET200 mA, 50 VN-Channel SOT-23Typical applications are DC-DC converters, power management inwww.onsemi.comportable and battery-powered products such as computers, printers,PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.200 mA, 50 VFeaturesRDS(on) = 3.5 W Low Threshold Voltage (VGS(th): 0.5 V-1.5 V) Makes it Ideal forN-ChannelLow Voltage Ap

 7.4. Size:391K  willas
bss138lt1.pdfpdf_icon

BSS138L99Z

FM120-M WILLASTHRUBSS 8LT1200 mAmps, 50 VoltsPower MOSFETFM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in order to optim

Другие MOSFET... BSS123TA , BSS123TC , BSS126 , BSS127 , BSS127S , BSS127SSN , BSS131 , BSS138D87Z , 2SK3918 , BSS138AKA , BSS138BKS , BSS138-G , BSS138LT1G , BSS138LT3 , BSS138LT3G , BSS138N , BSS138TA .

History: SIHFR014

 

 
Back to Top

 


 
.