SI6820DQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI6820DQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI6820DQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6820DQ даташит

 ..1. Size:68K  vishay
 si6820dq.pdf pdf_icon

SI6820DQ

Si6820DQ Vishay Siliconix N-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.160 @ VGS = 4.5 V "1.9 20 20 0.260 @ VGS = 3.0 V "1.5 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF (v) VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A) 20 0.5 V @ 1 A 1.5 D K TSSOP-8 D K G 1 8 D S A 2 7 Si6820DQ S A 3 6 G A 4 5 S A Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA

 9.1. Size:59K  1
 si6821dq.pdf pdf_icon

SI6820DQ

Si6821DQ New Product Vishay Siliconix P-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.190 @ VGS = 4.5 V "1.7 20 20 0.280 @ VGS = 3.0 V "1.3 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF (V) VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A) 20 0.5 V @ 1 A 1.5 S K TSSOP-8 D K G 1 8 D S A 2 7 Si6821DQ S A 3 6 G A 4 5 D A Top View ABSO

Другие IGBT... SI4435DY, SI4810DY, SI4812DY, SI4816DY, SI4818DY, SI4831DY, SI4832DY, SI4833DY, IRF530, SI6821DQ, SI6923DQ, SML1001H9, SML1001R1AN, SML1001R1BN, SML1001R1HN, SML1001R3AN, SML1001R3BN