SI6820DQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI6820DQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TSSOP8
Аналог (замена) для SI6820DQ
SI6820DQ Datasheet (PDF)
si6820dq.pdf

Si6820DQVishay SiliconixN-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky DiodeMOSFET PRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.160 @ VGS = 4.5 V "1.920200.260 @ VGS = 3.0 V "1.5 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARYVF (v)VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A)20 0.5 V @ 1 A 1.5D KTSSOP-8D K G1 8DS A2 7Si6820DQS A3 6G A4 5S ATop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA
si6821dq.pdf

Si6821DQNew ProductVishay SiliconixP-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky DiodeMOSFET PRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.190 @ VGS = 4.5 V "1.720200.280 @ VGS = 3.0 V "1.3 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARYVF (V)VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A)20 0.5 V @ 1 A 1.5S KTSSOP-8D K G1 8DS A2 7Si6821DQS A3 6G A4 5D ATop ViewABSO
Другие MOSFET... SI4435DY , SI4810DY , SI4812DY , SI4816DY , SI4818DY , SI4831DY , SI4832DY , SI4833DY , AO4407 , SI6821DQ , SI6923DQ , SML1001H9 , SML1001R1AN , SML1001R1BN , SML1001R1HN , SML1001R3AN , SML1001R3BN .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1018PP | JMSH1018PK | JMSH1018PGQ | JMSH1018PGD | JMSH1018PG | JMSH1018PE | JMSH1018PC | JMSH1018AG | JMSH1018AE | JMSH1018AC | JMH65R430ACFP | JMH65R400MPLNFD | JMH65R400MKFD | JMH65R400MFFD | JMH65R360PK | JMH65R360PF
Popular searches
ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815