SI6820DQ - описание и поиск аналогов

 

SI6820DQ - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI6820DQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для SI6820DQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6820DQ технические параметры

 ..1. Size:68K  vishay
 si6820dq.pdf pdf_icon

SI6820DQ

Si6820DQ Vishay Siliconix N-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.160 @ VGS = 4.5 V "1.9 20 20 0.260 @ VGS = 3.0 V "1.5 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF (v) VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A) 20 0.5 V @ 1 A 1.5 D K TSSOP-8 D K G 1 8 D S A 2 7 Si6820DQ S A 3 6 G A 4 5 S A Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA

 9.1. Size:59K  1
 si6821dq.pdf pdf_icon

SI6820DQ

Si6821DQ New Product Vishay Siliconix P-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.190 @ VGS = 4.5 V "1.7 20 20 0.280 @ VGS = 3.0 V "1.3 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF (V) VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A) 20 0.5 V @ 1 A 1.5 S K TSSOP-8 D K G 1 8 D S A 2 7 Si6821DQ S A 3 6 G A 4 5 D A Top View ABSO

Другие MOSFET... SI4435DY , SI4810DY , SI4812DY , SI4816DY , SI4818DY , SI4831DY , SI4832DY , SI4833DY , IRF530 , SI6821DQ , SI6923DQ , SML1001H9 , SML1001R1AN , SML1001R1BN , SML1001R1HN , SML1001R3AN , SML1001R3BN .

 

 
Back to Top

 


 
.