BSS169 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSS169
Маркировка: SFs
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.36 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.17 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2.1 nC
Время нарастания (tr): 2.7 ns
Выходная емкость (Cd): 9 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 6 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
BSS169 Datasheet (PDF)
bss169.pdf
BSS169SIPMOS Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channelRDS(on),max 12 W Depletion modeIDSS,min 0.09 A dv /dt rated Available with V indicator on reelGS(th) Pb-free lead-plating; RoHS compliantPG-SOT-23 Halogen-free according to AEC61249-2-21 Qualified according to AEC Q101Type Package Pb-free Tape and Reel Info
bss169.pdf
BSS169100V N-Channel MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAXID SOT-23234m @ 10V267m @ 6V100V 2A0.118(3.00)0.110(2.80)278m @ 4.5V30.055(1.40)0.047(1.20)Features1 20.079(2.00) - TrenchFET Power MOSFET 0.071(1.80) - Low RDS(ON). - Surface mount package.0.007(0.150)0.002(0.080)0.041(1.05)0.035(0.90)0.100(2.55)Mechanical data0.089(2.25) - Case: SOT-23,
bss169.pdf
BSS169www.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.240 at VGS = 10 V 2.0 Material categorization:0.250 at VGS = 6 V100 1.8 2.9 nC0.260 at VGS = 4.5 V1.7APPLICATIONS DC/DC Converters Load Switch LED Backlighting
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: L2N7002SLT1G
