BSS606N - описание и поиск аналогов

 

BSS606N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSS606N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

Аналог (замена) для BSS606N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSS606N даташит

 ..1. Size:410K  infineon
 bss606n.pdf pdf_icon

BSS606N

BSS606N OptiMOS -3 Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS 60 V N-channel RDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement mode VGS=4.5 V 90 Logic level (4.5V rated) ID 3.2 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SOT-89 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant 4 1 2 3 Type Package Tape and Reel Information Marking Halog

 0.1. Size:3991K  cn tech public
 bss606n-p.pdf pdf_icon

BSS606N

 9.1. Size:62K  comset
 bss60a bss61a bss62a.pdf pdf_icon

BSS606N

NPN BSS60A-61A-62A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS They are PNP transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . NPN complements are the BSS50A 51A 52A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Valu

Другие MOSFET... BSS138N , BSS138TA , BSS138TC , BSS139 , BSS159N , BSS169 , BSS214NW , BSS225 , IRF540 , BSS670S2L , BSS7728N , BSS7728NG , BSS806NE , BSS816NW , BSS84-7 , BSS84AKMB , BSS84TA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.