Справочник MOSFET. BSS606N

 

BSS606N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSS606N
   Маркировка: KE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 3.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 

 Аналог (замена) для BSS606N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSS606N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:410K  infineon
 bss606n.pdf pdf_icon

BSS606N

BSS606NOptiMOS-3 Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement modeVGS=4.5 V 90 Logic level (4.5V rated)ID 3.2 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT-89 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant4 1 2 3 Type Package Tape and Reel Information Marking Halog

 0.1. Size:3991K  cn tech public
 bss606n-p.pdf pdf_icon

BSS606N

 9.1. Size:62K  comset
 bss60a bss61a bss62a.pdf pdf_icon

BSS606N

NPN BSS60A-61A-62A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSThey are PNP transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . NPN complements are the BSS50A 51A 52A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Valu

Другие MOSFET... BSS138N , BSS138TA , BSS138TC , BSS139 , BSS159N , BSS169 , BSS214NW , BSS225 , IRF540N , BSS670S2L , BSS7728N , BSS7728NG , BSS806NE , BSS816NW , BSS84-7 , BSS84AKMB , BSS84TA .

 

 
Back to Top

 


 
.