Справочник MOSFET. SI6821DQ

 

SI6821DQ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI6821DQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.6(min) V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 3.5 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8

 Аналог (замена) для SI6821DQ

 

 

SI6821DQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  1
si6821dq.pdf

SI6821DQ
SI6821DQ

Si6821DQNew ProductVishay SiliconixP-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky DiodeMOSFET PRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.190 @ VGS = 4.5 V "1.720200.280 @ VGS = 3.0 V "1.3 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARYVF (V)VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A)20 0.5 V @ 1 A 1.5S KTSSOP-8D K G1 8DS A2 7Si6821DQS A3 6G A4 5D ATop ViewABSO

 9.1. Size:68K  vishay
si6820dq.pdf

SI6821DQ
SI6821DQ

Si6820DQVishay SiliconixN-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky DiodeMOSFET PRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.160 @ VGS = 4.5 V "1.920200.260 @ VGS = 3.0 V "1.5 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARYVF (v)VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A)20 0.5 V @ 1 A 1.5D KTSSOP-8D K G1 8DS A2 7Si6820DQS A3 6G A4 5S ATop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top