Справочник MOSFET. SI6821DQ

 

SI6821DQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI6821DQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.6(min) V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 3.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для SI6821DQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6821DQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  1
 si6821dq.pdf pdf_icon

SI6821DQ

Si6821DQNew ProductVishay SiliconixP-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky DiodeMOSFET PRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.190 @ VGS = 4.5 V "1.720200.280 @ VGS = 3.0 V "1.3 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARYVF (V)VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A)20 0.5 V @ 1 A 1.5S KTSSOP-8D K G1 8DS A2 7Si6821DQS A3 6G A4 5D ATop ViewABSO

 9.1. Size:68K  vishay
 si6820dq.pdf pdf_icon

SI6821DQ

Si6820DQVishay SiliconixN-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky DiodeMOSFET PRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.160 @ VGS = 4.5 V "1.920200.260 @ VGS = 3.0 V "1.5 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARYVF (v)VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A)20 0.5 V @ 1 A 1.5D KTSSOP-8D K G1 8DS A2 7Si6820DQS A3 6G A4 5S ATop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA

Другие MOSFET... SI4810DY , SI4812DY , SI4816DY , SI4818DY , SI4831DY , SI4832DY , SI4833DY , SI6820DQ , IRLB4132 , SI6923DQ , SML1001H9 , SML1001R1AN , SML1001R1BN , SML1001R1HN , SML1001R3AN , SML1001R3BN , SML1001R3HN .

History: TK8S06K3L | STK0825F | SRT15N075HS2

 

 
Back to Top

 


 
.