Справочник MOSFET. BSS806NE

 

BSS806NE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSS806NE
   Маркировка: YIs
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.75 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.057 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для BSS806NE

 

 

BSS806NE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:529K  infineon
 bss806ne.pdf

BSS806NE BSS806NE

BSS806NEOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 20 V N-channelRDS(on),max VGS=2.5 V 57 mW Enhancement modeVGS=1.8 V 82 Ultra Logic level (1.8V rated)ID 2.3 A ESD protected Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT23 3 100% lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-211 2

 7.1. Size:230K  infineon
 bss806n.pdf

BSS806NE BSS806NE

BSS806NOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS N-channelR V =2.5 V 57mDS(on),max GS Enhancement modeV =1.8 V 82GS Ultra Logic level (1.8V rated)I 2.3 AD Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT23 100% lead-free; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-2112Type Package Tape

 7.2. Size:158K  tysemi
 bss806n.pdf

BSS806NE BSS806NE

Product specificationBSS806NOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS N-channelR V =2.5 V 57mDS(on),max GS Enhancement modeV =1.8 V 82GS Ultra Logic level (1.8V rated)I 2.3 AD Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT23 100% lead-free; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21

 9.1. Size:179K  siemens
 bss80 bss82.pdf

BSS806NE BSS806NE

PNP Silicon Switching Transistors BSS 80BSS 82 High DC current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BSS 79, BSS 81 (NPN)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3BSS 80 B CHs Q62702-S557 B E C SOT-23BSS 80 C CJs Q62702-S492BSS 82 B CLs Q62702-S560BSS 82 C CMs Q62702-S482Maximum RatingsParameter Symbol Values

 9.2. Size:26K  diodes
 bss80b.pdf

BSS806NE

SOT SI I O A A SS80 S IT HI T A SISTO S SS80 ISS S T T I D T I 8 8 SOT A SO T A I ATI S T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I 8 Di i i T T T i T T I A HA A T ISTI S a Ta T I IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V I V I II I V V V V T i I V V II i V V I V V i V I V I V V i 8 I V VT i 8 I V VT i

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top