BSS806NE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSS806NE
Маркировка: YIs
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.75 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1.7 nC
Время нарастания (tr): 9.9 ns
Выходная емкость (Cd): 118 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.057 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
BSS806NE Datasheet (PDF)
bss806ne.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BSS806NEOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 20 V N-channelRDS(on),max VGS=2.5 V 57 mW Enhancement modeVGS=1.8 V 82 Ultra Logic level (1.8V rated)ID 2.3 A ESD protected Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT23 3 100% lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-211 2
bss806n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BSS806NOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS N-channelR V =2.5 V 57mDS(on),max GS Enhancement modeV =1.8 V 82GS Ultra Logic level (1.8V rated)I 2.3 AD Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT23 100% lead-free; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-2112Type Package Tape
bss806n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Product specificationBSS806NOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS N-channelR V =2.5 V 57mDS(on),max GS Enhancement modeV =1.8 V 82GS Ultra Logic level (1.8V rated)I 2.3 AD Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT23 100% lead-free; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21
bss80 bss82.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PNP Silicon Switching Transistors BSS 80BSS 82 High DC current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BSS 79, BSS 81 (NPN)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3BSS 80 B CHs Q62702-S557 B E C SOT-23BSS 80 C CJs Q62702-S492BSS 82 B CLs Q62702-S560BSS 82 C CMs Q62702-S482Maximum RatingsParameter Symbol Values
bss80b.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SOT SI I O A A SS80 S IT HI T A SISTO S SS80 ISS S T T I D T I 8 8 SOT A SO T A I ATI S T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I 8 Di i i T T T i T T I A HA A T ISTI S a Ta T I IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V I V I II I V V V V T i I V V II i V V I V V i V I V I V V i 8 I V VT i 8 I V VT i
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![BSS806NE](https://alltransistors.com/images/us.png)
![BSS806NE](https://alltransistors.com/images/es.png)
![BSS806NE](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C