Справочник MOSFET. BSS84AKMB

 

BSS84AKMB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSS84AKMB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 0.26 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT883B
 

 Аналог (замена) для BSS84AKMB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSS84AKMB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1030K  nxp
 bss84akmb.pdf pdf_icon

BSS84AKMB

BSS84AKMB50 V, single P-channel Trench MOSFETRev. 1 6 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible ElectroStatic Di

 6.1. Size:1411K  nxp
 bss84akm.pdf pdf_icon

BSS84AKMB

BSS84AKM50 V, 230 mA P-channel Trench MOSFETRev. 1 23 May 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small SOT883 (SC-101) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible ESD protection up to 1 kV

 7.1. Size:1426K  nxp
 bss84akv.pdf pdf_icon

BSS84AKMB

BSS84AKV50 V, 170 mA dual P-channel Trench MOSFETRev. 1 19 May 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible ESD protection up to

 7.2. Size:1420K  nxp
 bss84ak.pdf pdf_icon

BSS84AKMB

BSS84AK50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFETRev. 1 23 May 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible ESD protection up to 1 kV Very fast switc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSS225 , BSS606N , BSS670S2L , BSS7728N , BSS7728NG , BSS806NE , BSS816NW , BSS84-7 , IRF640N , BSS84TA , BSS84TC , BST72A , BSZ014NE2LS5IF , BSZ018NE2LS , BSZ025N04LS , BSZ028N04LS , BSZ034N04LS .

History: STP90N6F6 | SI3464DV | SI3458BDV | IXKC25N80C

 

 
Back to Top

 


 
.