Справочник MOSFET. SI6923DQ

 

SI6923DQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI6923DQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6923DQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  vishay
si6923dq.pdfpdf_icon

SI6923DQ

Si6923DQNew ProductVishay SiliconixP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET with Schottky DiodeMOSFET PRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.050 @ VGS = 4.5 V "3.520200.085 @ VGS = 2.5 V "2.7 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARYVf (V)VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A)20 0.5 V @ 1 A 1.5S KTSSOP-8D K G1 8DS A2 7Si6923DQS A3 6G A4 5D ATop ViewABSOL

 9.1. Size:70K  vishay
si6925dq.pdfpdf_icon

SI6923DQ

Si6925DQVishay SiliconixDual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.05 @ VGS = 4.5 V "3.40.06 @ VGS = 3.0 V "3.120200.08 @ VGS = 2.5 V "2.7D1 D2TSSOP-8D1 1 D D28S1 2 S27Si6925DQ G1 G2S1 3 S26G1 4 G25Top ViewS1 S2N-Channel MOSFET N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter S

 9.2. Size:54K  vishay
si6924edq.pdfpdf_icon

SI6923DQ

Si6924EDQVishay SiliconixN-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch, ESD ProtectionPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.033 @ VGS = 4.5 V "4.628 0.038 @ VGS = 3.0 V "4.3 ESD Protected0.042 @ VGS = 2.5 V "4.1 2000 VFEATURESD Low rDS(on) D rDS(on) Rating at 2.5-V VGSD VGS Max Rating: 14 V D 28-V VDS RatedD Exceeds 2-kV ESD Protection D Symetrical Voltage Blocking (Off Voltag

 9.3. Size:72K  vishay
si6926dq.pdfpdf_icon

SI6923DQ

Si6926DQVishay SiliconixDual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.035 @ VGS = 4.5 V "4.00.040 @ VGS = 3.0 V "3.720200.045 @ VGS = 2.5 V "3.5D1 D2TSSOP-8D1 1 D D28S1 2 S27Si6926DQ G1 G2S1 3 S26G1 4 G25Top ViewS1 S2N-Channel MOSFET N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Paramete

Другие MOSFET... SI4812DY , SI4816DY , SI4818DY , SI4831DY , SI4832DY , SI4833DY , SI6820DQ , SI6821DQ , STP80NF70 , SML1001H9 , SML1001R1AN , SML1001R1BN , SML1001R1HN , SML1001R3AN , SML1001R3BN , SML1001R3HN , SML1001RAN .

History: DMC3018LSD-13 | IPP075N15N3G | IXTT110N10P | BLF881S | 7N65KG-TQ2-R | ME7642-G | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.