SI6923DQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI6923DQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TSSOP8
Аналог (замена) для SI6923DQ
SI6923DQ Datasheet (PDF)
si6923dq.pdf

Si6923DQNew ProductVishay SiliconixP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET with Schottky DiodeMOSFET PRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.050 @ VGS = 4.5 V "3.520200.085 @ VGS = 2.5 V "2.7 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARYVf (V)VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A)20 0.5 V @ 1 A 1.5S KTSSOP-8D K G1 8DS A2 7Si6923DQS A3 6G A4 5D ATop ViewABSOL
si6925dq.pdf

Si6925DQVishay SiliconixDual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.05 @ VGS = 4.5 V "3.40.06 @ VGS = 3.0 V "3.120200.08 @ VGS = 2.5 V "2.7D1 D2TSSOP-8D1 1 D D28S1 2 S27Si6925DQ G1 G2S1 3 S26G1 4 G25Top ViewS1 S2N-Channel MOSFET N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter S
si6924edq.pdf

Si6924EDQVishay SiliconixN-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch, ESD ProtectionPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.033 @ VGS = 4.5 V "4.628 0.038 @ VGS = 3.0 V "4.3 ESD Protected0.042 @ VGS = 2.5 V "4.1 2000 VFEATURESD Low rDS(on) D rDS(on) Rating at 2.5-V VGSD VGS Max Rating: 14 V D 28-V VDS RatedD Exceeds 2-kV ESD Protection D Symetrical Voltage Blocking (Off Voltag
si6926dq.pdf

Si6926DQVishay SiliconixDual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.035 @ VGS = 4.5 V "4.00.040 @ VGS = 3.0 V "3.720200.045 @ VGS = 2.5 V "3.5D1 D2TSSOP-8D1 1 D D28S1 2 S27Si6926DQ G1 G2S1 3 S26G1 4 G25Top ViewS1 S2N-Channel MOSFET N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Paramete
Другие MOSFET... SI4812DY , SI4816DY , SI4818DY , SI4831DY , SI4832DY , SI4833DY , SI6820DQ , SI6821DQ , IRFP450 , SML1001H9 , SML1001R1AN , SML1001R1BN , SML1001R1HN , SML1001R3AN , SML1001R3BN , SML1001R3HN , SML1001RAN .
History: WVM13N50 | IPI65R600C6 | PSMN013-30MLC | WSD4098DN56 | MTB12P04J3 | MTB12N03Q8 | NCEP065N85
History: WVM13N50 | IPI65R600C6 | PSMN013-30MLC | WSD4098DN56 | MTB12P04J3 | MTB12N03Q8 | NCEP065N85



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435