SML1001R1HN - описание и поиск аналогов

 

SML1001R1HN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SML1001R1HN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 2950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO258

Аналог (замена) для SML1001R1HN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SML1001R1HN даташит

 6.1. Size:18K  semelab
sml1001rhn sml901rhn sml901r1hn.pdfpdf_icon

SML1001R1HN

SML1001RHN SML901RHN0 TO 258 Package Outline. 4TH GENERATION MOSFET Dimensions in mm (Inches) 6.86 (0.270) 6.09 (0.240) 17.65 (0.695) 17.39 (0.685) 1.14 (0.707) N CHANNEL 0.88 (0.035) ENHANCEMENT MODE 4.19 (0.165) HIGH VOLTAGE 3.94 (0.155) Dia. 1 2 3 POWER MOSFETS D 5.08 (0.200) 3.56 (0.140) G BSC BSC 1.65 (0.065) 1.39 (0.055) S Typ. Pin 1 Drain Pin 2 Sourc

 6.2. Size:60K  semelab
sml1001r sml901r sml901r1an sml901r3an.pdfpdf_icon

SML1001R1HN

SML1001R1AN 1000V 9.5A 1.10 SML901R1AN 900V 9.5A 1.10 SEME SML1001R3AN 1000V 8.5A 1.30 SML901R3AN 900V 8.5A 1.30 LAB TO3 Package Outline. Dimensions in mm (Inches) POWER MOS IV N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS (Tcase =25 C unless otherwise stated) SML Parameter 901R1AN 1001R1AN 901R3AN 1001R3AN Unit 900 1000 900 1000 V VDSS Drain S

 8.1. Size:20K  semelab
sml100c4.pdfpdf_icon

SML1001R1HN

SML100C4 TO 254 Package Outline. Dimensions in mm (inches) 13.59 (0.535) 6.32 (0.249) N CHANNEL 13.84 (0.545) 6.60 (0.260) 3.53 (0.139) 1.02 (0.040) Dia. 3.78 (0.149) 1.27 (0.050) ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 1 2 3 VDSS 1000V ID(cont) 3.6A RDS(on) 4.00 0.89 (0.035) 1.14 (0.045) 3.81 (0.150) 3.81 (0.150) BSC BSC Faster Switching Pin 1 Drain Pin 2

 8.2. Size:105K  semelab
sml100m12msf.pdfpdf_icon

SML1001R1HN

NORMALLY-OFF SILICON CARBIDE POWER JFET SML100M12MSF RDS(on)max of 0.150 High Temperature Operation Tj = 200 C Low Gate Charge and Intrinsic Capacitance Positive Temperature Coefficient and Temperature Independent Switching Behaviour APPLICATIONS UPS SMPS Induction Heating Motor Drive ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless othe

Другие MOSFET... SI4832DY , SI4833DY , SI6820DQ , SI6821DQ , SI6923DQ , SML1001H9 , SML1001R1AN , SML1001R1BN , TK10A60D , SML1001R3AN , SML1001R3BN , SML1001R3HN , SML1001RAN , SML1001RBN , SML1001RHN , SML10026DFN , SML1002R4AN .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.