Справочник MOSFET. 2SK1701

 

2SK1701 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK1701
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.73 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1701 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  inchange semiconductor
2sk1701.pdfpdf_icon

2SK1701

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1701DESCRIPTIONDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed power switching.Low drive current.Suitable for motor control,switching regulator and DC DC converter.ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 8.1. Size:318K  toshiba
2sk170.pdfpdf_icon

2SK1701

2SK170 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK170 Low Noise Audio Amplifier Applications Unit: mm Recommended for first stages of EQ and M.C. head amplifiers. High |Yfs|: |Yfs| = 22 mS (typ.) (VDS = 10 V, VGS = 0, IDSS = 3 mA) High breakdown voltage: VGDS = -40 V Low noise: En = 0.95 nV/Hz1/2 (typ.) (VDS = 10 V, ID = 1 mA, f = 1 kHz)

 8.2. Size:212K  inchange semiconductor
2sk1707.pdfpdf_icon

2SK1701

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1707DESCRIPTIONDrain Current I = 4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplies, converters and power motor controlsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drai

 8.3. Size:209K  inchange semiconductor
2sk1706.pdfpdf_icon

2SK1701

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1706DESCRIPTIONDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplies, converters and power motor controlsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-So

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.