2SK1974 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK1974
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для 2SK1974
2SK1974 Datasheet (PDF)
2sk1974.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1974DESCRIPTIONDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 60V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 60 VDSS
2sk1971.pdf

2SK1971 Silicon N Channel MOS FET REJ03G0990-0200 (Previous: ADE-208-1338) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator, DC-DC converter, motor control Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZF-A(Package name
Другие MOSFET... 2SK1917 , 2SK1936 , 2SK1937 , 2SK1938 , 2SK1939 , 2SK1940 , 2SK1941 , 2SK1942 , K4145 , 2SK1976 , 2SK1981 , 2SK1982 , 2SK1983 , 2SK1984 , 2SK1985 , 2SK2002-01M , 2SK2003-01M .
History: SI5N60L-TN3-R | SML1004R2GXN | 2SK536 | AP10P10GH | IRL630PBF | PSMN7R0-100PS
History: SI5N60L-TN3-R | SML1004R2GXN | 2SK536 | AP10P10GH | IRL630PBF | PSMN7R0-100PS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet