RFM4N40 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RFM4N40
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 42 ns
Выходная емкость (Cd): 150 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
Тип корпуса: TO3
RFM4N40 Datasheet (PDF)
..1. Size:42K harris semi
rfm4n35 rfm4n40 rfp4n35 rfp4n40.pdf
rfm4n35 rfm4n40 rfp4n35 rfp4n40.pdf
RFM4N35, RFM4N40, RFP4N35, RFP4N40SemiconductorData Sheet October 1998 File Number 1491.34A, 350V and 400V, 2.000 Ohm, N-Channel FeaturesPower MOSFETs 4A, 350V and 400V[ /Title[ /TitleThese are N-channel enhancement-mode silicon-gate rDS(ON) = 2.000(RFM4N()power field effect transistors designed for applications such35, Related Literature/Sub- as switchi
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
