50N06FI. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 50N06FI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для 50N06FI
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
50N06FI даташит
50n06fi.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 50N06FI DESCRIPTION Drain Current I =27A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 28m (Max) DS(on) Fast Switching Speed Low Drive Requirement Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High current , high speed switching Switc
rsd050n06fra.pdf
Data Sheet AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOSFET RSD050N06FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 3) Parallel use is easy. Applications Switching Packaging specif
rsd150n06fra.pdf
Data Sheet AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOSFET RSD150N06FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Applications Switching Packaging spec
oms150n06f.pdf
OMS150N06FL OMS60L60FL Preliminary Data Sheet OMS120N10FL OMS50F60FL H-BRIDGE, MULTI-CHIP MODULES IN AN INDUSTRIAL ISOLATED PACKAGE 60 To 600 Volt, 50 To 150 Amp Modules, H-Bridge Configuration FEATURES Isolated Heat Sink Low Inductance Design Fast Switching Speed Low On Voltage Easy-To-Connect To Package DESCRIPTION These modules are ideally suited for high d
Другие MOSFET... 40N06 , SUB45N05-20L , SUP45N05-20L , 45N06 , 45N20 , RFM4N35 , RFM4N40 , 4N60AS , IRF9640 , 5NA80 , 60N06-14 , 75N05E , 8N90A , 9N80A , 9N90L-T3P , BUK444-200A , BUK444-800 .
History: APM3095PU | STD3PK50Z | AO4292E | 30N06G-TF3-T | SI2328A | AGM405AP1 | 2SK3575-S
History: APM3095PU | STD3PK50Z | AO4292E | 30N06G-TF3-T | SI2328A | AGM405AP1 | 2SK3575-S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555








