Справочник MOSFET. 9N80A

 

9N80A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 9N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 93 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для 9N80A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

9N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  inchange semiconductor
 9n80a.pdf pdf_icon

9N80A

isc N-Channel MOSFET Transistor 9N80ADESCRIPTIONAvalanche rugged technologyRugged gate oxide technologyLower input capacitanceMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 800 VDSS GS

 0.1. Size:935K  samsung
 ssf9n80a.pdf pdf_icon

9N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.000 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 0.2. Size:936K  samsung
 ssh9n80a.pdf pdf_icon

9N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.000 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

Другие MOSFET... RFM4N35 , RFM4N40 , 4N60AS , 50N06FI , 5NA80 , 60N06-14 , 75N05E , 8N90A , MMD60R360PRH , 9N90L-T3P , BUK444-200A , BUK444-800 , BUK445-200B , BUK445-60H , BUK453-60B , BUK452-60A , BUK452-60B .

History: SI1902DL

 

 
Back to Top

 


 
.