Справочник MOSFET. BUK453-100B

 

BUK453-100B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK453-100B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для BUK453-100B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK453-100B Datasheet (PDF)

 4.1. Size:57K  philips
 buk453-100a-b 2.pdf pdf_icon

BUK453-100B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK453-100A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK453 -100A -100BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 100 100 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 14 13 A(SMPS),

 4.2. Size:228K  inchange semiconductor
 buk453-100.pdf pdf_icon

BUK453-100B

isc N-Channel MOSFET Transistor BUK453-100A/BDESCRIPTIONDrain Source Voltage-: V =100V(Min)DSSLow RDS(ON)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switched Mode Power Supplies (SMPS),motor control,welding, and in general purpose switchingresistance applicationABSOLUTE MAXIMU

 7.1. Size:54K  philips
 buk453-60a-b.pdf pdf_icon

BUK453-100B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK453-60A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK453 -60A -60BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 22 20 A(SMPS), motor

 7.2. Size:54K  philips
 buk453-60a-b 1.pdf pdf_icon

BUK453-100B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK453-60A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK453 -60A -60BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 22 20 A(SMPS), motor

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 9N90L-T3P , BUK444-200A , BUK444-800 , BUK445-200B , BUK445-60H , BUK453-60B , BUK452-60A , BUK452-60B , IRF3205 , BUK453-60A , BUK454-200A , BUK445-60B , BUK454-200B , BUK455-60A , BUK455-60B , BUK445-60A , BUK456-60A .

History: STF11N60M2-EP | NCEP60T20A | IPP70N10S3L-12 | WMN03N80M3 | NVD6824NL | OSG55R099HSZF | APT8024JFLL

 

 
Back to Top

 


 
.