Справочник MOSFET. RU6888R3

 

RU6888R3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6888R3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220S
 

 Аналог (замена) для RU6888R3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6888R3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:450K  ruichips
 ru6888r3.pdf pdf_icon

RU6888R3

RU6888R3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,Insulation Slug RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V Insulation Slug(VISO1500VAC) Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedF t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureS Lead Free and Green

 7.1. Size:303K  ruichips
 ru6888r.pdf pdf_icon

RU6888R3

RU6888RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inverte

 8.1. Size:303K  ruichips
 ru6888m.pdf pdf_icon

RU6888R3

RU6888M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/62A, RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available PDFN5060 (RoHS Compliant) Applications Power Management. N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Uni

 8.2. Size:461K  ruichips
 ru6888.pdf pdf_icon

RU6888R3

RU6888N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 68V/88A,RDS (ON) =6.0m (Type) @ VGS=10V Ultra Low On-ResistanceTO-220 TO-220F Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-263 TO-247 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Applicat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUZ14 , BUZ15 , BUZ205 , BUZ211 , BUZ330 , IRFAC32 , JCS24N50WH , JCS24N50ABH , IRFP250N , SPP77N06S2-12 , SPB77N06S2-12 , TSA20N50M , M7002NND03 , M7002TTD03 , MC3406 , MC3541 , MCD04N60 .

History: SSG9435 | IRF7316QPBF | IRF6893MPBF | IPS09N03LA | SWQI6N70DA | HRP72N06K | JCS24N50ABH

 

 
Back to Top

 


 
.