RU6888R3 - описание и поиск аналогов

 

RU6888R3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU6888R3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220S

Аналог (замена) для RU6888R3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6888R3 даташит

 ..1. Size:450K  ruichips
 ru6888r3.pdf pdf_icon

RU6888R3

RU6888R3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 68V/88A, Insulation Slug RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V Insulation Slug(VISO 1500VAC) Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated F t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature S Lead Free and Green

 7.1. Size:303K  ruichips
 ru6888r.pdf pdf_icon

RU6888R3

RU6888R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 68V/88A, RDS (ON) =6m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems Inverte

 8.1. Size:303K  ruichips
 ru6888m.pdf pdf_icon

RU6888R3

RU6888M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/62A, RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available PDFN5060 (RoHS Compliant) Applications Power Management. N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Uni

 8.2. Size:461K  ruichips
 ru6888.pdf pdf_icon

RU6888R3

RU6888 N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 68V/88A, RDS (ON) =6.0m (Type) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance TO-220 TO-220F Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-263 TO-247 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Applicat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUZ14 , BUZ15 , BUZ205 , BUZ211 , BUZ330 , IRFAC32 , JCS24N50WH , JCS24N50ABH , IRFB4115 , SPP77N06S2-12 , SPB77N06S2-12 , TSA20N50M , M7002NND03 , M7002TTD03 , MC3406 , MC3541 , MCD04N60 .

History: ET2N7002K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.