MC3406. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MC3406
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для MC3406
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MC3406 даташит
mc3406.pdf
Analog Power AM2322N Freescale AO3406/ MC3406 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC VDS (V) rDS (on ) ( ) ID (A) converters and power management in portable and 0.085 @ VGS = 10V
dmc3400sdw.pdf
DMC3400SDW COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max Device V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25 C Fast Switching Speed 0.4 @ VGS = 10V 0.65A ESD Protected Gate Q1 30 Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 0.7 @ VGS = 4.5V 0.52A Halogen an
smc3407.pdf
SMC3407 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC3407 is the P-Channel logic enhancement -30V/-4.3A, RDS(ON) =44m (typ.)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -30V/-3.0A, RDS(ON) =70m (typ.)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Super high density cell design
smc3401.pdf
SMC3401 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC3401 is the P-Channel logic enhancement -30V/-4.3A, RDS(ON) =44m (typ)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -30V/-3.5A, RDS(ON) =50m (typ)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to -30V/-2.5A, RDS(ON) =65m (typ)@VGS =-2.5V provide excelle
Другие MOSFET... JCS24N50WH , JCS24N50ABH , RU6888R3 , SPP77N06S2-12 , SPB77N06S2-12 , TSA20N50M , M7002NND03 , M7002TTD03 , IRF630 , MC3541 , MCD04N60 , MCD04N65 , MCD3410 , MS10N60 , MS10N65 , MS10N80 , MS12N60 .
History: 15N05 | NCE60R360 | AP3P6R0S | SK2307A
History: 15N05 | NCE60R360 | AP3P6R0S | SK2307A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080






