Справочник MOSFET. MS12N65

 

MS12N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS12N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MS12N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS12N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  bruckewell
 ms12n65.pdf pdf_icon

MS12N65

MS12N65 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS12N65 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low gate charge ( typical 52n

 8.1. Size:859K  bruckewell
 ms12n60.pdf pdf_icon

MS12N65

MS12N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS12N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=6600V typically @ Tj=15

Другие MOSFET... MC3541 , MCD04N60 , MCD04N65 , MCD3410 , MS10N60 , MS10N65 , MS10N80 , MS12N60 , AO3400 , MS13N50 , MS13P21 , MS14N60 , MS14P21 , MS15N50 , MS15N60 , MS17N03Q8 , MS18N50 .

History: MS15N60 | SI2356DS | AO4466L

 

 
Back to Top

 


 
.