MS4N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MS4N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 55 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220
MS4N60 Datasheet (PDF)
ms4n60.pdf
MS4N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS4N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=650V typically @ Tj=150
ms4n60c.pdf
HV MOSFET DIE SPECIFICATION Product Name: BW-MS4N60C Chip Features Front side Back side Chip Size (um) Thickness (um) Pad Size-Gate (um) Pad Size-Source (um) 3,180 * 2,720 350 420 * 520 900 * 1900 Referenced PKG Electrical Ratings TC = 25Cunless otherwise noted Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VDSS Drain to Source Voltage 600 V VGS Gate to Source Vol
ms4n65.pdf
Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell-semi.com Product Specification N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MS4N65 Description The MS4N65 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
