Справочник MOSFET. MS6N95

 

MS6N95 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS6N95
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 950 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MS6N95 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  bruckewell
 ms6n95.pdf pdf_icon

MS6N95

MS6N95 950V N-Channel MOSFET Description The MS6N95 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Max 2.4 )@VGS=10V Gate Charge

 9.1. Size:1093K  bruckewell
 ms6n90.pdf pdf_icon

MS6N95

MS6N90 900V N-Channel MOSFET Description The MS6N90 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Max 2.4 )@VGS=10V Gate Charge (

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: JCS6N70S | AP2306CGN-HF | STC5NF20V | P0803BVG | IRF1310NLPBF | 3415E | CJP02N80

 

 
Back to Top

 


 
.