Справочник MOSFET. MS9N20E

 

MS9N20E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS9N20E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.3 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X56PP
 

 Аналог (замена) для MS9N20E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS9N20E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1175K  bruckewell
 ms9n20e.pdf pdf_icon

MS9N20E

Bruckewell Technology Corp., Ltd. DFN 2X5 6PP MS9N20E Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers,

Другие MOSFET... MS75N075 , MS75N75 , MS7N60 , MS7N80 , MS85N06 , MS8N50 , MS8N60 , MS99N45 , IRF1405 , MS9N90 , MSA4P21 , MSAER12N50A , MSAER30N20A , MSAER38N10A , MSAER57N10A , MSAEZ50N10A , MSAFR12N50A .

History: UPA2736GR | NTMFS4939N | BRD65R650C | SSF7607 | 2SK4151 | APQ5ESN40AF | BRD65R600C

 

 
Back to Top

 


 
.