MS9N20E - описание и поиск аналогов

 

MS9N20E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MS9N20E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.3 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: DFN2X56PP

Аналог (замена) для MS9N20E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS9N20E даташит

 ..1. Size:1175K  bruckewell
 ms9n20e.pdf pdf_icon

MS9N20E

Bruckewell Technology Corp., Ltd. DFN 2X5 6PP MS9N20E Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers,

Другие MOSFET... MS75N075 , MS75N75 , MS7N60 , MS7N80 , MS85N06 , MS8N50 , MS8N60 , MS99N45 , IRF830 , MS9N90 , MSA4P21 , MSAER12N50A , MSAER30N20A , MSAER38N10A , MSAER57N10A , MSAEZ50N10A , MSAFR12N50A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.