Справочник MOSFET. MSA4P21

 

MSA4P21 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSA4P21
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2
 

 Аналог (замена) для MSA4P21

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSA4P21 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  bruckewell
 msa4p21.pdf pdf_icon

MSA4P21

MSA4P21P-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)26 @ VGS = -4.5V -8.8 Low thermal impedance -2034 @ VGS = -2.5V -7.7 Fast switching speed DFN2X2 Typical Applications: Load Switches DC/DC Conversion Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS OTHERWISE NO

Другие MOSFET... MS7N60 , MS7N80 , MS85N06 , MS8N50 , MS8N60 , MS99N45 , MS9N20E , MS9N90 , AON7403 , MSAER12N50A , MSAER30N20A , MSAER38N10A , MSAER57N10A , MSAEZ50N10A , MSAFR12N50A , MSAFR30N20A , MSAFR38N10A .

History: B640 | APT5010JVRU3 | 5N65G

 

 
Back to Top

 


 
.