MSAER30N20A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MSAER30N20A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 115 nC
Время нарастания (tr): 190 ns
Выходная емкость (Cd): 700 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm
Тип корпуса: TO-276AB
Аналог (замена) для MSAER30N20A
MSAER30N20A Datasheet (PDF)
msaer30n20a msafr30n20a.pdf
2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220 MSAER30N20AFAX: (714) 966-5256MSAFR30N20AFeatures200 Volts Ultrafast rectifier in parallel with the body diode (MSAE type only)30 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability85 m Hermetically sealed, surface mount power package Low pa
38n10a msaer38n10a msafr38n10a.pdf
2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220 MSAER38N10AFAX: (714) 966-5256MSAFR38N10AFeatures100 Volts Ultrafast rectifier in parallel with the body diode (MSAE type only)38 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability55 m Hermetically sealed, surface mount power package Low pa
msaer12n50a msafr12n50a.pdf
2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220 MSAER12N50AFAX: (714) 966-5256MSAFR12N50AFeatures500 Volts Ultrafast rectifier in parallel with the body diode (MSAE type only)12 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability400 m Hermetically sealed, surface mount power package Low p
msaer57n10a.pdf
2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH: (714) 979-8220 FAX: (714) 966-5256 MSAER57N10AFeatures 100 Volts MOSKEYTM - Mosfet and Schottky in a single package 57 Amps Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature 25 m Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability Hermetically sealed, surface mount power package N-CHANNEL
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
