MSAER30N20A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MSAER30N20A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 115 nC
trⓘ - Время нарастания: 190 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: TO-276AB
Аналог (замена) для MSAER30N20A
MSAER30N20A Datasheet (PDF)
msaer30n20a msafr30n20a.pdf
2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220 MSAER30N20AFAX: (714) 966-5256MSAFR30N20AFeatures200 Volts Ultrafast rectifier in parallel with the body diode (MSAE type only)30 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability85 m Hermetically sealed, surface mount power package Low pa
38n10a msaer38n10a msafr38n10a.pdf
2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220 MSAER38N10AFAX: (714) 966-5256MSAFR38N10AFeatures100 Volts Ultrafast rectifier in parallel with the body diode (MSAE type only)38 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability55 m Hermetically sealed, surface mount power package Low pa
msaer12n50a msafr12n50a.pdf
2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220 MSAER12N50AFAX: (714) 966-5256MSAFR12N50AFeatures500 Volts Ultrafast rectifier in parallel with the body diode (MSAE type only)12 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability400 m Hermetically sealed, surface mount power package Low p
msaer57n10a.pdf
2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH: (714) 979-8220 FAX: (714) 966-5256 MSAER57N10AFeatures 100 Volts MOSKEYTM - Mosfet and Schottky in a single package 57 Amps Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature 25 m Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability Hermetically sealed, surface mount power package N-CHANNEL
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918