Справочник MOSFET. MSAFX20N60A

 

MSAFX20N60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSAFX20N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-276AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MSAFX20N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:34K  microsemi
 20n60a msafx20n60a.pdf pdf_icon

MSAFX20N60A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256MSAFX20N60AFeatures600 Volts Ultrafast body diode 20 Amps Rugged polysilicon gate cell structure350 m Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductanceN-CHANNEL Very low thermal resistance

 9.1. Size:33K  microsemi
 msafx76n07a.pdf pdf_icon

MSAFX20N60A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256MSAFX76N07AFeatures70 Volts Ultrafast body diode76 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability12 m Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance Very low thermal resistanceN-CHANNEL

 9.2. Size:37K  microsemi
 10n90a msafx10n90a.pdf pdf_icon

MSAFX20N60A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256 MSAFX10N90AFeatures900 Volts Ultrafast body diode10 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability1.1 Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance Very low thermal resistanceN-CHANNEL Rev

 9.3. Size:34K  microsemi
 msafx75n10a.pdf pdf_icon

MSAFX20N60A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256MSAFX75N10AFeatures100 Volts Ultrafast body diode75 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability20 m Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance Very low thermal resistanceN-CHANNEL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.