MSAFX75N10A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MSAFX75N10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO-276AB
Аналог (замена) для MSAFX75N10A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MSAFX75N10A даташит
msafx75n10a.pdf
2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAFX75N10A Features 100 Volts Ultrafast body diode 75 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability 20 m Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance Very low thermal resistance N-CHANNEL
msafx76n07a.pdf
2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAFX76N07A Features 70 Volts Ultrafast body diode 76 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability 12 m Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance Very low thermal resistance N-CHANNEL
10n90a msafx10n90a.pdf
2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAFX10N90A Features 900 Volts Ultrafast body diode 10 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability 1.1 Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance Very low thermal resistance N-CHANNEL Rev
20n60a msafx20n60a.pdf
2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAFX20N60A Features 600 Volts Ultrafast body diode 20 Amps Rugged polysilicon gate cell structure 350 m Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance N-CHANNEL Very low thermal resistance
Другие MOSFET... MSAER57N10A , MSAEZ50N10A , MSAFR12N50A , MSAFR30N20A , MSAFR38N10A , MSAFX10N90A , MSAFX11P50A , MSAFX20N60A , IRF730 , MSAFZ50N10A , MSB15N60 , MSB22A04Q8 , MSB55N03N3 , MSC22N03 , MSC37N03 , MTC1421G6 , MTC4503LQ8 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630







