IPU33CN10N - описание и поиск аналогов

 

IPU33CN10N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPU33CN10N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: DPAK TO251

Аналог (замена) для IPU33CN10N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU33CN10N даташит

 0.1. Size:704K  infineon
 ipb35cn10n-g ipd33cn10n-g ipi35cn10n-g ipp35cn10n-g ipu33cn10n-g.pdf pdf_icon

IPU33CN10N

IPB35CN10N G IPD33CN10N G IPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 34 m DS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 27 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi

Другие MOSFET... MTE6D5N12B0E3 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 , IPU25CN10N , IPB35CN10N , K3569 , IPB80CN10N , IPU78CN10N , MTH15N40 , MTH20N15 , MTH5N100 , MTH5N95 , MTH6N100 , MTH6N100E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.