Справочник MOSFET. IPU33CN10N

 

IPU33CN10N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPU33CN10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: DPAK TO251
 

 Аналог (замена) для IPU33CN10N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU33CN10N Datasheet (PDF)

 0.1. Size:704K  infineon
 ipb35cn10n-g ipd33cn10n-g ipi35cn10n-g ipp35cn10n-g ipu33cn10n-g.pdf pdf_icon

IPU33CN10N

IPB35CN10N G IPD33CN10N GIPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 34mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 27 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi

Другие MOSFET... MTE6D5N12B0E3 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 , IPU25CN10N , IPB35CN10N , SPP20N60C3 , IPB80CN10N , IPU78CN10N , MTH15N40 , MTH20N15 , MTH5N100 , MTH5N95 , MTH6N100 , MTH6N100E .

History: IRFS230 | HMS8N70 | STF8NM50N | TPC6108 | STD12N65M5 | WMK030N06HG4 | AMA960N

 

 
Back to Top

 


 
.